حافظهٔ فلش یا فلش مموری (به انگلیسی: Flash memory)، حافظهٔ غیر فرّار ذخیره سازی رایانه ای است که می توان آن را به صورت الکتریکی پاک و دوباره برنامه ریزی کرد. این فناوری عمدتاً در کارت های حافظه و یواس بی استفاده می شود و برای ذخیره سازی عمومی و انتقال داده ها بین رایانه ها و دیگر محصولات دیجیتال به کار می رود. این نوع خاصی از EEPROM (حافظهٔ فقط خواندنی پاک شدنی و قابل برنامه ریزی به صورت الکتریکی) است که در قطعات بزرگ، پاک و برنامه ریزی شده است.از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرّار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست.علاوه بر این، این حافظه به ارائه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی (اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار دینامیک دسترسی تصادفی (DRAM)، که برای حافظه اصلی در رایانه ها به کار می رود سریع نیست) ولی مقاوم تر از دیسک سخت (Hard disk) در برابر شوک حرکتی می باشد.
دو نوع حافظهٔ فلش وجود دارد که بر حسب منطق های NAND , NOR نام گذاری شده اند سلول های مستقل حافظهٔ فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازهٔ مربوطه را نشان می دهند. در حالی که EPROMها باید قبل از نوشته شدن به طور کامل پاک شوند، فلش های نوع NANDمی توانند هم زمان در بلوک هایی که معمولاً از کّل دستگاه کوچکترند خوانده و نوشته شوند. فلش های NOR به یک کلمهٔ ماشینی تنها (بایت) اجازه می دهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند.نوع NAND به صورت عمده در کارت های حفظ فلش های یواس بی و درایوهای حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی و انتقال داده استفاده می شود. فلش های NAND, NOR معمولاً برای ذخیره پیکر بندی داده ها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده می شوند مسئولیتی که در گذشته به وسیلهٔ EPROMها یا حافظهٔ استاتیک باتری دار ممکن می شد. یکی از معایب حافظهٔ فلش تعداد محدود چرخه های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است.فلش های NOR و NAND نام خود را از روابط داخلی بین سلول های حافظه شان می گیرند. مشابه گیت نند، در فلش های نند هم گیت ها در سری هایی به هم متصل هستند. در یک گیت NOR ترانزیستورها به طور موازی به هم متصل هستند و مانند آن در فلش NOR سلول ها به طور موازی به خطوط بیت متصل هستند و به همین دلیل است که سلول ها می توانند جداگانه و مستقل، خوانده و برنامه نویسی شوند. در مقایسه با فلش های NOR جایگزین کردن یک ترانزیستور با گروه های سری لینک شده یک سطح آدرس دهی اضافی به آن ها می افزاید. در حالی که فلش های NOR می توانند حافظه را با صفحه و سپس کلمه آدرس دهی کنند. فلش های NAND می توانند آن را با صفحه، کلمه و بیت آدرس دهی کنند.
هر سلول در فلش NOR یک بخش پایانی دارد که مستقیماً به زمین متصل است و بخش پایانی دیگری که مستقیماً به یک خط بیت متصل است. این ترتیب به این دلیل NOR نامید شده است که مثل یک گیت NOR عمل می کند. وقتی یکی از خطوط کلمه ها High شود ترانزیستور ذخیره کننده مربوطه عمل می کند تا خط بیت خروجی را Low کند.
فلش NAND نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می کند اما آن ها به صورتی به هم متصل اند که گیت NAND را شبیه سازی می کنند. تعداد زیادی از ترانزیستورها به صورت سری متصل اند و خط بیت تنها در صورتی Low می شود که تمامی خطوط کلمه ها High شده باشند. سپس این گروه ها به وسیلهٔ تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل NOR متصل شده اند مشابه حالتی که ترانزیستورهای تنها در یک فلش NOR به هم ارتباط پیدا کرده اند.
دو نوع حافظهٔ فلش وجود دارد که بر حسب منطق های NAND , NOR نام گذاری شده اند سلول های مستقل حافظهٔ فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازهٔ مربوطه را نشان می دهند. در حالی که EPROMها باید قبل از نوشته شدن به طور کامل پاک شوند، فلش های نوع NANDمی توانند هم زمان در بلوک هایی که معمولاً از کّل دستگاه کوچکترند خوانده و نوشته شوند. فلش های NOR به یک کلمهٔ ماشینی تنها (بایت) اجازه می دهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند.نوع NAND به صورت عمده در کارت های حفظ فلش های یواس بی و درایوهای حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی و انتقال داده استفاده می شود. فلش های NAND, NOR معمولاً برای ذخیره پیکر بندی داده ها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده می شوند مسئولیتی که در گذشته به وسیلهٔ EPROMها یا حافظهٔ استاتیک باتری دار ممکن می شد. یکی از معایب حافظهٔ فلش تعداد محدود چرخه های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است.فلش های NOR و NAND نام خود را از روابط داخلی بین سلول های حافظه شان می گیرند. مشابه گیت نند، در فلش های نند هم گیت ها در سری هایی به هم متصل هستند. در یک گیت NOR ترانزیستورها به طور موازی به هم متصل هستند و مانند آن در فلش NOR سلول ها به طور موازی به خطوط بیت متصل هستند و به همین دلیل است که سلول ها می توانند جداگانه و مستقل، خوانده و برنامه نویسی شوند. در مقایسه با فلش های NOR جایگزین کردن یک ترانزیستور با گروه های سری لینک شده یک سطح آدرس دهی اضافی به آن ها می افزاید. در حالی که فلش های NOR می توانند حافظه را با صفحه و سپس کلمه آدرس دهی کنند. فلش های NAND می توانند آن را با صفحه، کلمه و بیت آدرس دهی کنند.
هر سلول در فلش NOR یک بخش پایانی دارد که مستقیماً به زمین متصل است و بخش پایانی دیگری که مستقیماً به یک خط بیت متصل است. این ترتیب به این دلیل NOR نامید شده است که مثل یک گیت NOR عمل می کند. وقتی یکی از خطوط کلمه ها High شود ترانزیستور ذخیره کننده مربوطه عمل می کند تا خط بیت خروجی را Low کند.
فلش NAND نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می کند اما آن ها به صورتی به هم متصل اند که گیت NAND را شبیه سازی می کنند. تعداد زیادی از ترانزیستورها به صورت سری متصل اند و خط بیت تنها در صورتی Low می شود که تمامی خطوط کلمه ها High شده باشند. سپس این گروه ها به وسیلهٔ تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل NOR متصل شده اند مشابه حالتی که ترانزیستورهای تنها در یک فلش NOR به هم ارتباط پیدا کرده اند.
wiki: حافظه فلش