یونیزاسیون ضربه ای (به انگلیسی: impact ionization)، فرایندی در یک ماده است که طی آن، حاملهای بار (الکترون) پر انرژی درون ماده، انرژی خود را با برخورد به سایر اتم های ماده از دست داده و حامل های جدیدی تولید می کنند. به عنوان مثال در نیمه هادی ها، یک الکترون (یا حفره) با انرژی جنبشی (سرعت) زیاد می تواند با یک الکترون ظرفیت برخورد و به آن ضربه وارد کرده و آن را از باند ظرفیت به باند هدایت منتقل کند و یک زوج الکترون حفره ایجاد کند. برای رسیدن بارها به انرژی جنبشی بالا، میدان الکتریکی نسبتاً زیادی باید موجود باشد که این میدان با اعمال یک ولتاژ مناسب تولید می شود.
اگر این پدیده در ناحیه ای از ماده با میدان الکتریکی شدید اتفاق افتد، موجب شکست بهمنی می شود. این فرایند معمولاً در همه دیود های نیمه هادی دیده می شود. در دیود بهمنی نوری، از این پدیده برای تقویت سیگنال نوری وارد شده به دیود استفاده می کنند.
این دیودها در گیرنده های نوری برای تقویت سیگنال نوری ورودی استفاده می شود به این صورت که با ورود یک فوتون، یک الکترون حفره آزاد می شود و این الکترون تحت شدت میدان الکتریکی بالا، انرژی جنبشی زیادی کسب کرده و طی فرایند یونیزاسیون ضربه ای، الکترون های زیادی تولید شده و جریان افزایش می یابد.
اگر این پدیده در ناحیه ای از ماده با میدان الکتریکی شدید اتفاق افتد، موجب شکست بهمنی می شود. این فرایند معمولاً در همه دیود های نیمه هادی دیده می شود. در دیود بهمنی نوری، از این پدیده برای تقویت سیگنال نوری وارد شده به دیود استفاده می کنند.
این دیودها در گیرنده های نوری برای تقویت سیگنال نوری ورودی استفاده می شود به این صورت که با ورود یک فوتون، یک الکترون حفره آزاد می شود و این الکترون تحت شدت میدان الکتریکی بالا، انرژی جنبشی زیادی کسب کرده و طی فرایند یونیزاسیون ضربه ای، الکترون های زیادی تولید شده و جریان افزایش می یابد.
wiki: یونیزاسیون ضربه ای